Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT,termistor * Producent:SEMIKRON DANFOSS * Obudowa:SEMiX® 3p * Napięcie wsteczne maks.:1,2kV * Struktura półprzewodnika:tranzystor/tranzystor * Napięcie bramka - emiter:±20V * Prąd kolektora:600A * Prąd kolektora w impulsie:1,2kA * Zastosowanie:do UPS * Montaż elektryczny:Press-Fit * Montaż mechaniczny:przykręcany * Topologia:termistor * Typ modułu półprzewodnikowego:IGBT https://elecena.pl/product/30763428/55semix603gb12e4sicp 2026-10-04 https://elecena.pl/product/30763428/55semix603gb12e4sicp 2026-10-09 https://elecena.pl/product/30763428/55semix603gb12e4sicp 2026-10-14 https://elecena.pl/product/30763428/55semix603gb12e4sicp 2026-10-20 https://elecena.pl/product/30763428/55semix603gb12e4sicp 2026-10-25