Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 30A; Idm: 116A; 236W * Producent:STMicroelectronics * Montaż:THT * Obudowa:HIP247-4 * Napięcie dren-źródło:1,2kV * Prąd drenu:30A * Rezystancja w stanie przewodzenia:87mΩ * Typ tranzystora:N-MOSFET * Zastosowanie:branża motoryzacyjna * Moc rozpraszana:236W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:tuba * Właściwości elementów półprzewodnikowych:wyprowadzenie Kelvina * Ładunek bramki:41nC * Technologia:SiC * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:-10...22V * Prąd drenu w impulsie:116A