Dioda: przełączająca; THT; 100V; 0,3A; Ifsm: 4A; DO35; luzem; 4ns * Producent:ONSEMI * Montaż:THT * Obudowa:DO35 * Napięcie wsteczne maks.:0,1kV * Prąd przewodzenia:0,3A * Struktura półprzewodnika:pojedyncza dioda * Czas gotowości:4ns * Prąd w impulsie maks.:4A * Rodzaj opakowania:luzem * Typ diody:przełączająca * Właściwości elementów półprzewodnikowych:małosygnałowa