<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!--Generated at Sat, 24 Oct 2026 17:39:30 +0200-->
<rss version="2.0">
 <channel>
  <title>[elecena] Tranzystor BUZ307 N-MOSFET - zmiany ceny</title>
  <description>Tranzystor MOSFET BUZ307 N-CHANNEL 800V 3A 75W TO-218Symbol: 11749Wysokonapięciowy tranzystor mocy z kanałem typu N, przeznaczony do zastosowań w układach elektronicznych wymagających sprawnego przełączania i sterowania przepływem prądu.Element wykonany w technologii SIPMOS charakteryzuje się wysoką wytrzymałością napięciową do 800 V oraz maksymalnym ciągłym prądem drenu 3 A. Dzięki obudowie TO-218 tranzystor umożliwia montaż na radiatorze, zapewniając skuteczne odprowadzanie ciepła podczas pracy.BUZ307 znajduje zastosowanie między innymi w zasilaczach impulsowych, przetwornicach napięcia, układach sterowania oraz podczas napraw i konserwacji urządzeń elektronicznych.Najważniejsze cechy

* Wysokie napięcie pracy do 800 V – przeznaczony do układów wysokonapięciowych.
* Prąd drenu do 3 A – umożliwia sterowanie obciążeniami elektrycznymi.
* Technologia MOSFET N-Channel – umożliwia elektroniczne przełączanie prądu.
* Moc strat do 75 W – przy zapewnieniu odpowiednich warunków chłodzenia.
* Technologia SIPMOS – tranzystor polowy przeznaczony do zastosowań mocy.
* Odporność na zjawisko lawinowe (Avalanche Rated) – zwiększona wytrzymałość na określone impulsy przepięciowe.
* Obudowa TO-218 – umożliwia montaż na radiatorze.
* Uniwersalne zastosowanie – do budowy, serwisowania i naprawy układów elektronicznych.
Specyfikacja

* Model: BUZ307
* Rodzaj elementu: tranzystor MOSFET mocy
* Typ kanału: N-Channel
* Tryb pracy: wzbogacany (Enhancement Mode)
* Technologia: SIPMOS
* Maksymalne napięcie dren–źródło (VDS): 800 V
* Maksymalny ciągły prąd drenu (ID): 3 A (przy temperaturze obudowy 35°C)
* Maksymalny impulsowy prąd drenu: 12 A
* Maksymalna moc strat (Ptot): 75 W (przy temperaturze obudowy 25°C)
* Rezystancja dren–źródło RDS(on): maks. 3 Ω
* Napięcie progowe bramki VGS(th): 2,1–4 V
* Maksymalne napięcie bramka–źródło VGS: ±20 V
* Obudowa: TO-218 AA
* Liczba wyprowadzeń: 3
* Wyprowadzenia: G (bramka), D (dren), S (źródło)
* Montaż: przewlekany (THT)
Zastosowanie

* Zasilacze impulsowe i układy zasilania.
* Przetwornice napięcia DC/DC.
* Układy przełączające wysokiego napięcia.
* Elektroniczne układy sterowania mocą.
* Urządzenia automatyki przemysłowej.
* Naprawa i serwis urządzeń elektronicznych.
* Projekty elektroniczne wymagające tranzystorów MOSFET wysokiego napięcia.
Cena dotyczy 1 szt.</description>
  <item>
   <title>Tranzystor BUZ307 N-MOSFET - 9.20 PLN</title>
   <link>https://elecena.pl/product/362913/tranzystor-buz307-n-mosfet</link>
   <pubDate>2007-04-15</pubDate>
  </item>
  <item>
   <title>Tranzystor BUZ307 N-MOSFET - 9.27 PLN</title>
   <link>https://elecena.pl/product/362913/tranzystor-buz307-n-mosfet</link>
   <pubDate>2011-01-04</pubDate>
  </item>
  <item>
   <title>Tranzystor BUZ307 N-MOSFET - 9.28 PLN</title>
   <link>https://elecena.pl/product/362913/tranzystor-buz307-n-mosfet</link>
   <pubDate>2014-06-02</pubDate>
  </item>
  <item>
   <title>Tranzystor BUZ307 N-MOSFET - 9.27 PLN</title>
   <link>https://elecena.pl/product/362913/tranzystor-buz307-n-mosfet</link>
   <pubDate>2016-11-27</pubDate>
  </item>
 </channel>
</rss>
