Tranzystor MOSFET z kanałem typu N Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V Maksymalny prąd drenu: 0.5A Maksymalne napięcie bramka-źródło: ±20V Maksymalna moc rozpraszana (temperatura otoczenia 25°C): 0.83W Rezystancja otwartego kanału dren-źródło (napięcie bramka-źródło 10V, prąd drenu 200mA): 1.2Ohm (maks. 5Ohm) Obudowa: TO-92