elecena.pl

TRANZYSTOR IRF640N N-MOSFET 18A 200V 125W TO-220 RoHS

AET

Tranzystor N-MOSFET

Maksymalny prąd drenu (napięcie bramka-źródło 10V, temperatura obudowy 25°C): 18A

Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V

Maksymalna moc rozpraszana (temperatura obudowy 25°C): 150W

Maksymalne napięcie bramka-źródło: ±20V

Rezystancja otwartego kanału dren-źródło (napięcie bramka-źródło 10V, prąd drenu 11A): 0.15 Ohm

Typ obudowy: TO-220AB

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu