Tranzystor MOSFET z kanałem typu P Maksymalny ciągły prąd drenu (napięcie bramka-źródło -10V, temperatura obudowy 25°C): -23A Maksymalne napięcie dren-źródło: -100V Maksymalne napięcie bramka-źródło: ±20V Rezystancja otwartego kanału dren-źródło (napięcie bramka-źródło -10V, prąd drenu -14A): 117mOhm Obudowa: D2PAK (TO-263)