Tranzystor MOSFET z kanałem typu N Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V Maksymalny prąd drenu (temperatura obudowy 25°C, napięcie bramka-źródło 10V): 4.3A Maksymalne napięcie bramka-źródło: ±20V Rezystancja otwartego kanału dren-źródło (napięcie bramka-źródło 10V, prąd drenu 2.6A): 0.54Ohm Maksymalna moc rozpraszana (temperatura obudowy 25°C): 25W Obudowa: TO-252 (DPAK)