TRANZYSTOR SMD IRFR110 N-MOS 100V 4,3A 25W DPAK RoHS

AET

Tranzystor MOSFET z kanałem typu N

Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V

Maksymalny prąd drenu (temperatura obudowy 25°C, napięcie bramka-źródło 10V): 4.3A

Maksymalne napięcie bramka-źródło: ±20V

Rezystancja otwartego kanału dren-źródło (napięcie bramka-źródło 10V, prąd drenu 2.6A): 0.54Ohm

Maksymalna moc rozpraszana (temperatura obudowy 25°C): 25W

Obudowa: TO-252 (DPAK)

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu AET