Tranzystor MOSFET z kanałem typu N Maksymalne napięcie dren-źródło: 400V Maksymalne napięcie bramka-źródło: ±20V Maksymalny ciągły prąd drenu (napięcie bramka-źródło 10V, temperatura obudowy 25°C): 3.1A Maksymalna moc rozpraszana (temperatura obudowy 25°C): 42W Rezystancja otwartego kanału dren-źródło (napięcie bramka-źródło 10V, prąd drenu 1.9A): 1.8Ohm Obudowa: TO-252 (DPAK)