2 x tranzystor MOSFET typu P Maksymalne napięcie bramka-źródło: ±20V Rezystancja otwartego kanału: 0.1Ohm Napięcie progowe: 1V Napięcie przebicia dren-źródło: 30V Temperatura robocza: -55°C do +155°C Obudowa: SO8