Typ tranzystora N-MOSFET Polaryzacja unipolarny Rodzaj tranzystora HEXFET Napięcie dren-źródło 55V Prąd drenu 13.5A Moc 110W Obudowa DPAK Rezystancja w stanie przewodzenia 13.5mΩ Rezystancja termiczna złącze-obudo