elecena.pl

Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 40 W AVG., 48 V

NXP

Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 40 W AVG., 48 V RSS Sample
  • Darmowa próbka
MPN:
A2G35S200-01S
Producent:
NXP
Obudowa:
SOT1828
Dodany do bazy:
Ostatnio widziany:

The A2G35S200-01SR3 40 W RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 3400 to 3600 MHz.

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu