STGP6M65DF2 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
STMicroelectronics
RSS
1.75 USD7.11 PLN
Przejdź do sklepu »
- Sklep zagraniczny
- MPN:
- STGP6M65DF2
- Producent:
- STMicroelectronics
- Obudowa:
- TO-220
- Waluta:
- dolar amerykański
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- -0.57% (19.02.2026)
- Poprzednia cena:
- 1.76 USD
| Ilość [ x szt]: | 10+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|
| Cena USD [za szt]: | 0.84 | 0.75 | 0.59 |
Sugerowane produkty dla stgp6m65df2
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu STMicroelectronics