STGD6M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
STMicroelectronics
RSS
1.72 USD6.99 PLN
Przejdź do sklepu »
- Sklep zagraniczny
- MPN:
- STGD6M65DF2
- Producent:
- STMicroelectronics
- Obudowa:
- TO-252
- Waluta:
- dolar amerykański
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- +1.78% (11.07.2026)
- Poprzednia cena:
- 1.69 USD
| Ilość [ x szt]: | 10+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|
| Cena USD [za szt]: | 1.09 | 0.73 | 0.57 |
Sugerowane produkty dla stgd6m65df2
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field‑stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu STMicroelectronics