STGYA120M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
STMicroelectronics
RSS
10.64 USD43.23 PLN
Przejdź do sklepu »
- Sklep zagraniczny
- MPN:
- STGYA120M65DF2
- Producent:
- STMicroelectronics
- Waluta:
- dolar amerykański
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- +8% (03.06.2026)
- Poprzednia cena:
- 9.84 USD
| Ilość [ x szt]: | 10+ | 100+ |
|---|---|---|
| Cena USD [za szt]: | 5.85 | 4.65 |
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu STMicroelectronics