STB11NK50ZT4

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 6,3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK

* Producent:STMicroelectronics * Montaż:SMD * Typ tranzystora:N-MOSFET * Polaryzacja:unipolarny * Napięcie dren-źródło:500V * Obudowa:D2PAK * Rezystancja w stanie przewodzenia:520m? * Prąd drenu:6,3A * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±30V * Moc rozpraszana:125W * Technologia:SuperMesh™ * Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate * Prąd drenu w impulsie:40A * Cena jednostkowa:Nie * Rezystancja w stanie przewodzenia:0,52? * Wersja:ESD