TRANZYSTOR IRLB3034 N-Channel MOSFET 343A 40V TO220

Opis:

IRLB3034 N-Channel 343A 40V TO220 TRANZYSTOR

Tranzystor N-MOSFET produkowany przez firmę Infineon (IRF). Oto szczegółowy opis tego tranzystora:

Typ tranzystora: N-MOSFET. Oznacza to, że tranzystor wykorzystuje technologię pole-złącze metal-izolator-półprzewodnik (MOSFET) i działa w trybie przewodzenia przy dodatnim napięciu bramki. Polaryzacja: Unipolarny. Oznacza to, że prąd płynie tylko w jednym kierunku, od drenu do źródła, gdy odpowiednie napięcie jest dostarczane na bramkę. Rodzaj tranzystora: HEXFET, logic level. HEXFET jest terminem opisującym MOSFET o wyjątkowo niskim oporze przewodzenia. "Logic level" oznacza, że napięcie potrzebne do włączenia tranzystora jest kompatybilne z napięciem logicznym stosowanym w układach cyfrowych. Napięcie dren-źródło: Maksymalne napięcie, które można zastosować między drenem a źródłem, wynosi 40V. Przekroczenie tego napięcia może prowadzić do uszkodzenia tranzystora. Prąd drenu: Maksymalny prąd drenu wynosi 343A. Jest to maksymalny dopuszczalny prąd, który może płynąć przez tranzystor przy odpowiednim chłodzeniu. Moc: Moc tranzystora wynosi 375W. Jest to maksymalna moc, jaką tranzystor może obsłużyć bez przekroczenia maksymalnych temperatur pracy. Obudowa: TO220AB to popularna obudowa tranzystora z trzema pinami: dren, źródło i bramka. Obudowa ta jest odpowiednio chłodzona i łatwa do montażu. Napięcie bramka-źródło: Maksymalne napięcie między bramką a źródłem wynosi 20V. Przekroczenie tego napięcia może uszkodzić tranzystor. Rezystancja w stanie przewodzenia: Rezystancja w stanie przewodzenia tranzystora wynosi 1.7mΩ. Oznacza to, że przy przepływie prądu tranzystor wprowadza niskie straty mocy. Rezystancja termiczna złącze-obudowa: Rezystancja termiczna między złączem tranzystora a obudową wynosi 400mK/W. Jest to parametr, który odnosi się do odprowadzania ciepła z tranzystora do otoczenia. Montaż: THT (Through-Hole Technology). Oznacza to, że tranzystor jest przystosowany do montażu tradycyjnymi metodami przewlekłymi. Ładunek bramki: Ładunek bramki wynosi 108nC. Jest to wartość ładunku, który musi zostać dostarczony na bramkę, aby włączyć tranzystor w pełni.