elecena.pl

IXBT10N170

SŁAWMIR Electronics

RSS 63.55 63.55 51.67 + VAT
Kod:
3772970
Producent:
IXYS
Obudowa:
TO-268
Dodany do bazy:
Ostatnio widziany:
Zmiana ceny:
+0.17% (03.12.2025)
Poprzednia cena:
63.44

Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO268

* Producent:IXYS * Montaż:SMD * Napięcie kolektor-emiter:1,7kV * Prąd kolektora:10A * Typ tranzystora:IGBT * Rodzaj opakowania:tuba * Czas wyłączania:1,8µs * Ładunek bramki:30nC * Obudowa:TO268 * Napięcie bramka - emiter:±20V * Prąd kolektora w impulsie:40A * Czas załączania:63ns * Właściwości elementów półprzewodnikowych:wysokonapięciowa * Moc rozpraszana:140W * Technologia:BiMOSFET™ * Cena jednostkowa:Nie

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu