IXBT10N170
SŁAWMIR Electronics
RSS
55.62
45.22 + VAT
- Kod:
- 3772970
- Producent:
- IXYS
- Obudowa:
- TO-268
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- -0.18% (17.10.2026)
- Poprzednia cena:
- 55.72
Sugerowane produkty dla ixbt10n170
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO268
* Producent:IXYS * Montaż:SMD * Napięcie kolektor-emiter:1,7kV * Prąd kolektora:10A * Typ tranzystora:IGBT * Rodzaj opakowania:tuba * Czas wyłączania:1,8µs * Ładunek bramki:30nC * Obudowa:TO268 * Napięcie bramka - emiter:±20V * Prąd kolektora w impulsie:40A * Czas załączania:63ns * Właściwości elementów półprzewodnikowych:wysokonapięciowa * Moc rozpraszana:140W * Technologia:BiMOSFET™ * Cena jednostkowa:Nie
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu SŁAWMIR Electronics