elecena.pl

FGA25N120ANTDTU RoHS

Elektronika Elektrotechnika

Tranzystor IGBT NPT kanał N: 1200V, 50A Odpowiednik: FGA25N120ANTDTU-F109 Obudowa: TO 3P Producent: ON SEMICONDUCTOR Ładunek bramki: 200nC Maksymalna moc rozpraszana: 312W Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 90A Maksymalny prąd kolektora: 50A Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,5V ~ 7,5V Napięcie kolektor-emiter: 1200V Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C Napięcie bramka-emiter: 20V Montaż: THT

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu