FDN338P

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -20V; -1,6A; 0,5W; SuperSOT-3

* Producent:ONSEMI * Montaż:SMD * Rodzaj opakowania:taśma * Polaryzacja:unipolarny * Typ tranzystora:P-MOSFET * Napięcie dren-źródło:-20V * Rezystancja w stanie przewodzenia:165m? * Ładunek bramki:6,2nC * Prąd drenu:-1,6A * Moc rozpraszana:0,5W * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±8V * Obudowa:SuperSOT-3 * Technologia:PowerTrench® * Właściwości elementów półprzewodnikowych:logic level * Cena jednostkowa:Nie * Rezystancja w stanie przewodzenia:0,165? * Rodzaj opakowania:rolka