FDN360P

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -30V; -2A; 0,5W; SuperSOT-3

* Producent:ONSEMI * Montaż:SMD * Rodzaj opakowania:taśma * Polaryzacja:unipolarny * Typ tranzystora:P-MOSFET * Napięcie dren-źródło:-30V * Prąd drenu:-2A * Moc rozpraszana:0,5W * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±20V * Obudowa:SuperSOT-3 * Ładunek bramki:9nC * Technologia:PowerTrench® * Rezystancja w stanie przewodzenia:136m? * Właściwości elementów półprzewodnikowych:logic level * Cena jednostkowa:Nie * Rodzaj opakowania:rolka