FDS89161

SŁAWMIR Electronics

RSS 8.31 6.76 + VAT

Kod:: 3789337
Obudowa:: SO8
Dodany do bazy:: 04.04.2023
Ostatnio widziany:: 09.12.2025
Zmiana ceny:: -0.6% (17.11.2025)
Poprzednia cena:: 8.36

Dual N-Channel Shielded Gate PowerTrench^{® MOSFET 100V, 2.7A, 105mΩ}

Sugerowane produkty dla fds89161

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 2,7A; 31W; SO8

* Producent:ONSEMI * Montaż:SMD * Rodzaj opakowania:taśma * Polaryzacja:unipolarny * Obudowa:SO8 * Typ tranzystora:N-MOSFET x2 * Napięcie dren-źródło:100V * Prąd drenu:2,7A * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±20V * Technologia:PowerTrench® * Ładunek bramki:4,1nC * Rezystancja w stanie przewodzenia:176m? * Moc rozpraszana:31W * Cena jednostkowa:Nie * Rodzaj opakowania:rolka

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu SŁAWMIR Electronics