SSM3J331R

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -20V; -4A; Idm: -10A; 2W; SOT23F

* Producent:TOSHIBA * Montaż:SMD * Rodzaj opakowania:taśma * Polaryzacja:unipolarny * Typ tranzystora:P-MOSFET * Rezystancja w stanie przewodzenia:150m? * Napięcie dren-źródło:-20V * Prąd drenu:-4A * Moc rozpraszana:2W * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±8V * Obudowa:SOT23F * Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate * Prąd drenu w impulsie:-10A * Rodzaj opakowania:rolka * Cena jednostkowa:Nie * Rezystancja w stanie przewodzenia:0,15? * Wersja:ESD