SSM3J334R

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -30V; -4A; 1W; SOT23F

* Producent:TOSHIBA * Montaż:SMD * Rodzaj opakowania:taśma * Polaryzacja:unipolarny * Typ tranzystora:P-MOSFET * Napięcie dren-źródło:-30V * Moc rozpraszana:1W * Prąd drenu:-4A * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±20V * Obudowa:SOT23F * Ładunek bramki:5,9nC * Rezystancja w stanie przewodzenia:136m? * Właściwości elementów półprzewodnikowych:ESD protected gate * Cena jednostkowa:Nie * Wersja:ESD * Rodzaj opakowania:rolka