FDN5630

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 1,7A; 0,5W; SuperSOT-3

* Producent:ONSEMI * Montaż:SMD * Obudowa:SuperSOT-3 * Napięcie dren-źródło:60V * Napięcie bramka-źródło:±20V * Prąd drenu:1,7A * Rezystancja w stanie przewodzenia:180m? * Typ tranzystora:N-MOSFET * Moc rozpraszana:0,5W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Właściwości elementów półprzewodnikowych:logic level * Ładunek bramki:10nC * Technologia:PowerTrench® * Rodzaj kanału:wzbogacany * Cena jednostkowa:Nie * Rezystancja w stanie przewodzenia:0,18? * Rodzaj opakowania:rolka