FDC5614P

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -60V; -3A; 1,6W; SuperSOT-6

* Producent:ONSEMI * Montaż:SMD * Obudowa:SuperSOT-6 * Napięcie dren-źródło:-60V * Napięcie bramka-źródło:±20V * Prąd drenu:-3A * Rezystancja w stanie przewodzenia:190m? * Typ tranzystora:P-MOSFET * Moc rozpraszana:1,6W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Cena jednostkowa:Nie * Właściwości elementów półprzewodnikowych:logic level * Ładunek bramki:24nC * Technologia:PowerTrench® * Rodzaj kanału:wzbogacany * Rezystancja w stanie przewodzenia:0,19? * Rodzaj opakowania:rolka