55SK35GAL12T4

Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A

* Producent:SEMIKRON DANFOSS * Obudowa:SEMITOP2 * Napięcie wsteczne maks.:1,2kV * Struktura półprzewodnika:dioda/tranzystor * Napięcie bramka - emiter:±20V * Prąd kolektora:35A * Prąd kolektora w impulsie:105A * Zastosowanie:falownik * Cena jednostkowa:Nie * Montaż elektryczny:Press-in PCB * Montaż mechaniczny:przykręcany * Wersja:T2 * Typ modułu:IGBT * #Akcje #promocyjne:aac202202 * Topologia:boost chopper * Zastosowanie:do UPS