elecena.pl

55SISS27DN-T1-GE3

SŁAWMIR Electronics

55SISS27DN-T1-GE3 RSS 8.73 8.73 7.10 + VAT
Kod:
3843294
Producent:
VISHAY
Dodany do bazy:
Ostatnio widziany:
Zmiana ceny:
-0.34% (21.10.2026)
Poprzednia cena:
8.76

Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -30V; -50A; 36W

* Producent:VISHAY * Montaż:SMD * Obudowa:PowerPAK® 1212-8 * Napięcie dren-źródło:-30V * Prąd drenu:-50A * Rezystancja w stanie przewodzenia:9m? * Typ tranzystora:P-MOSFET * Moc rozpraszana:36W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Ładunek bramki:0,14µC * Technologia:TrenchFET® * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±20V * Prąd drenu w impulsie:-200A

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu