55SIRA90DP-T1-GE3
SŁAWMIR Electronics
- Kod:
- 3843288
- Producent:
- VISHAY
- Obudowa:
- SO8
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- +0.33% (27.06.2026)
- Poprzednia cena:
- 18.33
Tranzystor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 100A; Idm: 400A
* Producent:VISHAY * Montaż:SMD * Obudowa:PowerPAK® SO8 * Napięcie dren-źródło:30V * Prąd drenu:100A * Rezystancja w stanie przewodzenia:1,15m? * Typ tranzystora:N-MOSFET * Moc rozpraszana:66,6W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Ładunek bramki:153nC * Technologia:TrenchFET® * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:-16...20V * Prąd drenu w impulsie:400A
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu SŁAWMIR Electronics