elecena.pl

55SI4447ADY-T1-GE3

SŁAWMIR Electronics

55SI4447ADY-T1-GE3 RSS 5.81 5.81 4.72 + VAT
Kod:
3843173
Producent:
VISHAY
Obudowa:
SO8
Dodany do bazy:
Ostatnio widziany:
Zmiana ceny:
-0.17% (21.10.2026)
Poprzednia cena:
5.82

Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -40V; -7,2A; 4,2W

* Producent:VISHAY * Montaż:SMD * Obudowa:SO8 * Napięcie dren-źródło:-40V * Prąd drenu:-7,2A * Rezystancja w stanie przewodzenia:62m? * Typ tranzystora:P-MOSFET * Moc rozpraszana:4,2W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Ładunek bramki:38nC * Technologia:TrenchFET® * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±20V * Prąd drenu w impulsie:-20A

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu