55IXFN40N110Q3

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,1kV; 35A; SOT227B; Ugs: ±40V; 960W

* Producent:IXYS * Obudowa:SOT227B * Polaryzacja:unipolarny * Prąd drenu:35A * Montaż mechaniczny:przykręcany * Ładunek bramki:300nC * Rodzaj kanału:wzbogacany * Rezystancja w stanie przewodzenia:260m? * Typ modułu:tranzystorowy MOSFET * Struktura półprzewodnika:pojedynczy tranzystor * Montaż elektryczny:przykręcany * Napięcie bramka-źródło:±40V * Technologia:HiPerFET™ * Czas gotowości:434ns * Napięcie dren-źródło:1,1kV * Moc rozpraszana:960W * Prąd drenu w impulsie:100A * #Akcje #promocyjne:aac202202 * Cena jednostkowa:Nie * #Akcje #promocyjne:ixys202106 * Rezystancja w stanie przewodzenia:0,26?