elecena.pl

55IXFN66N85X

SŁAWMIR Electronics

RSS 369.11 369.11 300.09 + VAT
Kod:
3832921
Producent:
IXYS
Obudowa:
SOT-227B
Dodany do bazy:
Ostatnio widziany:
Zmiana ceny:
+1.64% (29.09.2026)
Poprzednia cena:
363.16

Moduł; pojedynczy tranzystor; 850V; 65A; SOT227B; Ugs: ±40V; 830W

* Producent:IXYS * Czas gotowości:250ns * Obudowa:SOT227B * Polaryzacja:unipolarny * Prąd drenu:65A * Napięcie dren-źródło:850V * Rezystancja w stanie przewodzenia:65m? * Montaż mechaniczny:przykręcany * Rodzaj kanału:wzbogacany * Typ modułu:tranzystorowy MOSFET * Struktura półprzewodnika:pojedynczy tranzystor * Montaż elektryczny:przykręcany * Napięcie bramka-źródło:±40V * Technologia:HiPerFET™ * Ładunek bramki:230nC * Moc rozpraszana:830W * Prąd drenu w impulsie:140A * Cena jednostkowa:Nie * #Akcje #promocyjne:ixys202106

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu