55IXFN210N30X3

Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 210A; SOT227B; Ugs: ±20V; 695W

* Producent:IXYS * Obudowa:SOT227B * Struktura półprzewodnika:pojedynczy tranzystor * Czas gotowości:190ns * Napięcie dren-źródło:300V * Napięcie bramka-źródło:±20V * Prąd drenu:210A * Rezystancja w stanie przewodzenia:4,6m? * Moc rozpraszana:695W * Polaryzacja:unipolarny * Cena jednostkowa:Nie * Montaż elektryczny:przykręcany * Montaż mechaniczny:przykręcany * Typ modułu:tranzystorowy MOSFET * Ładunek bramki:375nC * #Akcje #promocyjne:ixys202106 * Technologia:HiPerFET™ * Rodzaj kanału:wzbogacany * Prąd drenu w impulsie:650A