55GD10PJX65F1S
SŁAWMIR Electronics
RSS
215.25
175.00 + VAT
- Kod:
- 3831508
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- +0.42% (16.10.2026)
- Poprzednia cena:
- 214.34
Sugerowane produkty dla 55gd10pjx65f1s
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
* Producent:STARPOWER SEMICONDUCTOR * Obudowa:F1.1 * Napięcie wsteczne maks.:650V * Struktura półprzewodnika:dioda/tranzystor * Napięcie bramka - emiter:±20V * Prąd kolektora:10A * Prąd kolektora w impulsie:20A * Montaż elektryczny:Press-in PCB * Montaż mechaniczny:przykręcany * Typ modułu:IGBT * Technologia:Trench FS IGBT * Topologia:mostek 3-fazowy diodowy
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu SŁAWMIR Electronics