elecena.pl

55SIA517DJ-T1-GE3

SŁAWMIR Electronics

55SIA517DJ-T1-GE3 RSS 5.54 5.54 4.50 + VAT
Kod:
3868899
Producent:
VISHAY
Dodany do bazy:
Ostatnio widziany:
Zmiana ceny:
-0.72% (20.10.2026)
Poprzednia cena:
5.58

Tranzystor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 12/-12V; 6,5W

* Producent:VISHAY * Montaż:SMD * Napięcie dren-źródło:12/-12V * Prąd drenu:4,5/-4,5A * Rezystancja w stanie przewodzenia:170/65m? * Typ tranzystora:N/P-MOSFET * Moc rozpraszana:6,5W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Ładunek bramki:20/15nC * Technologia:TrenchFET® * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±8V

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu