55SIRC16DP-T1-GE3
SŁAWMIR Electronics
RSS
13.90
11.30 + VAT
- Kod:
- 3872029
- Producent:
- VISHAY
- Obudowa:
- SO8
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- -0.36% (20.10.2026)
- Poprzednia cena:
- 13.95
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 25V; 60A
* Producent:VISHAY * Montaż:SMD * Obudowa:PowerPAK® SO8 * Napięcie dren-źródło:25V * Prąd drenu:60A * Rezystancja w stanie przewodzenia:1,4m? * Typ tranzystora:N-MOSFET + Schottky * Moc rozpraszana:34,7W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Ładunek bramki:105nC * Technologia:TrenchFET® * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:-16...20V * Prąd drenu w impulsie:250A
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu SŁAWMIR Electronics