elecena.pl

ASPI8030LR2R2MT-0

TME

ASPI8030LR2R2MT-0

Przejdź do sklepu »

MPN:: ASPI-8030LR-2R2M-T
Kod:: ASPI8030LR2R2MT-0
Minimalne zamówienie:: 1 000 szt.
Producent:: ABRACON
Dodany do bazy:: 28.05.2025
Ostatnio widziany:: 14.08.2026
Zmiana ceny:: +622% (17.06.2026)
Poprzednia cena:: 0.39

Ilość [ x szt]:	2000+
Cena PLN [za szt]:	2.76

110 mΩ / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode IGI60L1111B1M combines a half-bridge power stage consisting of two CoolGaN™ Transistors 600 V / 110 mΩ (RDS(on) typ.) with an integrated level-shift gate driver and a bootstrap diode in a small 6x8 mm TFLGA-27 package.

Sugerowane produkty dla 6x8

Dławik: drutowy; SMD; 2,2uH; Ipracy: 10,4A; ±20%; 8,6x8,2mm; H: 2,8mm

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu TME