IGBT, 1350V 30A with Monolithic Free Wheeling Diode.
onsemi
Przejdź do sklepu »
- Darmowa próbka
- MPN:
- NGTB30N135IHR1
- Producent:
- onsemi
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
Sugerowane produkty dla lowon
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Field Stop (FS) Trench construction, provides superiorperformance in demanding switching applications, and offers lowon−state voltage with minimal switching losses. The IGBT is wellsuited for resonant or soft switching applications.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu onsemi