650V 150mΩ SuperGaN GaN FET in PQFN88
Intersil
Przejdź do sklepu »
- Darmowa próbka
- MPN:
- TP65H150G4LSGBE-TR
- Producent:
- Renesas Electronics
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
Sugerowane produkty dla tp65h150g4lsgbe
The TP65H150G4LSGBE 650V 150mΩ Gallium Nitride (GaN) FET, housed in an 8x8 PQFN industry-standard package, is a normally-off device built on Renesas' Gen IV SuperGaN® platform. It integrates a high-voltage GaN HEMT with an optimized low-voltage silicon MOSFET, delivering exceptional performance, standard drive compatibility, ease of adoption, and enhanced reliability.
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu Intersil