IMZA65R048M1HXKSA1

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W

* Producent:INFINEON TECHNOLOGIES * Montaż:THT * Obudowa:TO247-4 * Napięcie dren-źródło:650V * Prąd drenu:24A * Rezystancja w stanie przewodzenia:63mΩ * Typ tranzystora:N-MOSFET * Moc rozpraszana:125W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:tuba * Właściwości elementów półprzewodnikowych:wyprowadzenie Kelvina * Technologia:SiC * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:-5...23V * Prąd drenu w impulsie:100A