55DMN3016LSS-13

SŁAWMIR Electronics

RSS 4.99 4.06 + VAT

Kod:: 3880895
Obudowa:: SO8
Dodany do bazy:: 20.11.2025
Ostatnio widziany:: 14.04.2026
Zmiana ceny:: +0.4% (07.04.2026)
Poprzednia cena:: 4.97

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 9,5A; Idm: 80A; 2W; SO8

* Producent:DIODES INCORPORATED * Montaż:SMD * Obudowa:SO8 * Napięcie dren-źródło:30V * Prąd drenu:9,5A * Rezystancja w stanie przewodzenia:16mΩ * Typ tranzystora:N-MOSFET * Moc rozpraszana:2W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Ładunek bramki:25,1nC * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±20V * Prąd drenu w impulsie:80A

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu SŁAWMIR Electronics