55DMN3016LSS-13
SŁAWMIR Electronics
RSS
5.81
4.72 + VAT
- Kod:
- 3880895
- Obudowa:
- SO8
- Dodany do bazy:
- Ostatnio widziany:
- Zmiana ceny:
- -15% (09.10.2026)
- Poprzednia cena:
- 6.80
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 9,5A; Idm: 80A; 2W; SO8
* Producent:DIODES INCORPORATED * Montaż:SMD * Obudowa:SO8 * Napięcie dren-źródło:30V * Prąd drenu:9,5A * Rezystancja w stanie przewodzenia:16mΩ * Typ tranzystora:N-MOSFET * Moc rozpraszana:2W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Ładunek bramki:25,1nC * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±20V * Prąd drenu w impulsie:80A
Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.
Produkt pochodzi z oferty sklepu SŁAWMIR Electronics