55MSC040SMB120B4N

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 38A; Idm: 122A; 256W

* Producent:MICROCHIP TECHNOLOGY * Montaż:THT * Obudowa:TO247-4-notch * Napięcie dren-źródło:1,2kV * Prąd drenu:38A * Rezystancja w stanie przewodzenia:53mΩ * Typ tranzystora:N-MOSFET * Moc rozpraszana:256W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:tuba * Właściwości elementów półprzewodnikowych:wyprowadzenie Kelvina * Ładunek bramki:69nC * Technologia:SiC * Rodzaj kanału:wzbogacany * Rodzina:SMB * Prąd drenu w impulsie:122A