55IXFN210N20P

Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 188A; SOT227B; Ugs: ±30V; 1070W

* Producent:IXYS * Czas gotowości:200ns * Obudowa:SOT227B * Polaryzacja:unipolarny * Rezystancja w stanie przewodzenia:10,5m? * Napięcie dren-źródło:200V * Montaż mechaniczny:przykręcany * Rodzaj kanału:wzbogacany * Typ modułu:tranzystorowy MOSFET * Napięcie bramka-źródło:±30V * Struktura półprzewodnika:pojedynczy tranzystor * Montaż elektryczny:przykręcany * Technologia:HiPerFET™ * Moc rozpraszana:1070W * Prąd drenu:188A * Ładunek bramki:255nC * Prąd drenu w impulsie:600A * Rezystancja w stanie przewodzenia:10,5mΩ * Moc rozpraszana:1,07kW * Typ modułu półprzewodnikowego:tranzystorowy MOSFET