55IXFN132N50P3

Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 112A; SOT227B; Ugs: ±40V; 1500W

* Producent:IXYS * Czas gotowości:250ns * Obudowa:SOT227B * Polaryzacja:unipolarny * Napięcie dren-źródło:500V * Montaż mechaniczny:przykręcany * Rezystancja w stanie przewodzenia:39m? * Prąd drenu:112A * Rodzaj kanału:wzbogacany * Typ modułu:tranzystorowy MOSFET * Struktura półprzewodnika:pojedynczy tranzystor * Montaż elektryczny:przykręcany * Napięcie bramka-źródło:±40V * Technologia:HiPerFET™ * Ładunek bramki:250nC * Moc rozpraszana:1500W * Prąd drenu w impulsie:330A * Cena jednostkowa:Nie * Moc rozpraszana:1,5kW * Rezystancja w stanie przewodzenia:39mΩ * Typ modułu półprzewodnikowego:tranzystorowy MOSFET