IRF9530N - tranzystor unipolarny P-MOSFET, -100 V, -14 A, Rds 0,20 Ω, 79 W, TO-220AB

Tranzystor unipolarny IRF9530N z kanałem P w obudowie TO-220AB

Tranzystor polowy z kanałem P, napięcie dren-źródło -100 V, prąd drenu -14 A. W odróżnieniu od tranzystora bipolarnego steruje się go napięciem bramki, a nie prądem — bramka nie pobiera prądu w stanie ustalonym, tylko ładuje się przy przełączaniu.

Rezystancja kanału w stanie przewodzenia wynosi 0,20 Ω. To ona decyduje o stratach: moc tracona w tranzystorze rośnie z kwadratem prądu, więc niższa rezystancja oznacza mniej ciepła i mniejszy radiator. Podana wartość odnosi się do pełnego wysterowania bramki napięciem -10 V.

Obudowa TO-220AB odprowadza ciepło przy mocach do około pięćdziesięciu watów, powyżej tej wartości radiator staje się elementem decydującym o rzeczywistej obciążalności układu.

Specyfikacja techniczna

* typ: tranzystor unipolarny, MOSFET

* kanał: P

* oznaczenie: IRF9530N

* napięcie dren-źródło: -100 V

* prąd drenu: -14 A przy 25°C obudowy

* rezystancja kanału: 0,20 Ω

* moc strat: 79 W

* napięcie bramka-źródło: ±20 V

* temperatura złącza: do 175°C

* obudowa: TO-220AB

* producent: Infineon, marka International Rectifier

* montaż: przewlekany

Kanał P przewodzi, gdy napięcie bramki jest niższe od napięcia źródła, dlatego tranzystor stosuje się w kluczach po stronie dodatniej zasilania. Sterowanie wymaga wtedy układu przesuwającego poziom, bo źródło znajduje się na potencjale zasilania, a nie masy.