FQP13N10 - tranzystor unipolarny N-MOSFET, 100 V, 12,8 A, Rds 0,18 Ω, TO-220

Tranzystor unipolarny FQP13N10 z kanałem N w obudowie TO-220

Tranzystor polowy z kanałem N, napięcie dren-źródło 100 V, prąd drenu 12,8 A. W odróżnieniu od tranzystora bipolarnego steruje się go napięciem bramki, a nie prądem — bramka nie pobiera prądu w stanie ustalonym, tylko ładuje się przy przełączaniu.

Rezystancja kanału w stanie przewodzenia wynosi 0,18 Ω. To ona decyduje o stratach: przy prądzie roboczym moc tracona w tranzystorze rośnie z kwadratem prądu, więc niższa rezystancja oznacza mniej ciepła i mniejszy radiator. Podana wartość odnosi się do pełnego wysterowania bramki.

Specyfikacja techniczna

* typ: tranzystor unipolarny, MOSFET

* kanał: N

* napięcie dren-źródło: 100 V

* prąd drenu: 12,8 A

* rezystancja kanału: 0,18 Ω

* moc strat: 65 W

* obudowa: TO-220

* montaż: przewlekany