BC517 - tranzystor bipolarny NPN, 30 V, 400 mA, 0,625 W, Darlington, wyprowadzenia EBC, TO-92

Tranzystor bipolarny BC517 typu NPN w obudowie TO-92

Element typu NPN o napięciu kolektor-emiter 30 V i prądzie kolektora 400 mA. Tranzystor bipolarny steruje się prądem bazy, nie napięciem — obwód wejściowy projektuje się więc pod prąd, a nie pod poziom logiczny.

Dwa tranzystory połączone w układzie Darlingtona mnożą wzmocnienie prądowe. Ceną jest wyższe napięcie nasycenia — na przewodzącym elemencie odkłada się około 1 V zamiast 0,2 V, co przy większych prądach oznacza więcej ciepła do odprowadzenia.

Specyfikacja techniczna

* typ: tranzystor bipolarny

* polaryzacja: NPN

* napięcie kolektor-emiter: 30 V

* prąd kolektora: 400 mA

* moc strat: 0,625 W

* wzmocnienie prądowe hFE: 30000

* częstotliwość graniczna: 200 MHz

* konfiguracja: Darlington

* kolejność wyprowadzeń: emiter, baza, kolektor

* obudowa: TO-92

* montaż: przewlekany