55SKM50GB12T4

Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV

* Producent:SEMIKRON DANFOSS * Obudowa:SEMITRANS2 * Napięcie wsteczne maks.:1,2kV * Struktura półprzewodnika:tranzystor/tranzystor * Napięcie bramka - emiter:±20V * Prąd kolektora:50A * Prąd kolektora w impulsie:150A * Zastosowanie:do UPS * Montaż elektryczny:przykręcany * Montaż mechaniczny:przykręcany * Wersja:D61 * Topologia:półmostek IGBT * Typ modułu półprzewodnikowego:IGBT