55IXFN100N50P

Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 75A; SOT227B; Ugs: ±30V; 1,04kW

* Producent:IXYS * Czas gotowości:200ns * Obudowa:SOT227B * Polaryzacja:unipolarny * Prąd drenu:75A * Napięcie dren-źródło:500V * Montaż mechaniczny:przykręcany * Rodzaj kanału:wzbogacany * Typ modułu:tranzystorowy MOSFET * Napięcie bramka-źródło:±30V * Struktura półprzewodnika:pojedynczy tranzystor * Montaż elektryczny:przykręcany * Rezystancja w stanie przewodzenia:49m? * Ładunek bramki:240nC * Technologia:HiPerFET™ * Prąd drenu w impulsie:250A * Moc rozpraszana:1,04kW * Cena jednostkowa:Nie * Rezystancja w stanie przewodzenia:49mΩ * Typ modułu półprzewodnikowego:tranzystorowy MOSFET